Hochreines SiC-Rohpulver/SiC-Grobpulver (5N-6N)
PRODUKTBESCHREIBUNG
Hochreines Siliziumkarbidpulver ist ein Hochleistungskeramikmaterial mit hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften, das hauptsächlich aus hochreinem Siliziumkarbid (SiC) besteht. Die Reinheit von SiC-Rohpulver 5N-6N beträgt üblicherweise 99,999 % bis 99,9999 %, mit extrem geringen Verunreinigungen wie Eisen, Aluminium und Sauerstoff. Der Gesamtverunreinigungsgehalt sollte im Bereich von 0,001 % (10 ppm) bis 0,0001 % (1 ppm) liegen.
Gängige Typen sind α-SiC (hexagonales System, z. B. 4H- und 6H-Typen) und β-SiC (kubisches System). SiC-Grobpulver liegt üblicherweise in der α-Phase vor und weist eine hohe Stabilität auf. Die Partikelgröße von SiC-Grobpulver liegt zwischen 10 μm und 100 μm, und die Produktreinheit von SiC-Rohpulver kann bis zu 5N (Reinheit ≥ 99,999 %) reichen.
Dieses Material aus grobem SiC-Pulver übertrifft den Anwendungsbereich gewöhnlicher industrieller Schleifmittel oder feuerfester Materialien bei weitem. SiC-Rohpulver ist das zentrale Grundmaterial für die Herstellung der nächsten Generation von Hochleistungshalbleiterbauelementen.
Eigenschaften des SiC-Rohpulvers
Reinheit des SiC-Rohpulvers: 99,999 % (5N) bis 99,9999 % (6N)
Partikelgröße: Typischerweise 10–100 μm (SiC-Grobpulverbereich)
Kristallphase: Überwiegend α-SiC (6H- oder 4H-Polytypen für elektronische Anwendungen)
Wichtige Verunreinigungen:
Metalle (Fe, Al, Ni, Cr): <1 ppm (6N), <5 ppm (5N)
Sauerstoff (O): <50 ppm
Stickstoff (N): <20 ppm
Freier Kohlenstoff (C): <0,1 %
PRODUKTDETAIL
Reinheit von Siliziumkarbid: 99,999 % (5N) bis 99,9999 % (6N).
Hochreines SiC-Rohpulver ist ein wichtiges Grundmaterial für die High-End-Fertigung, und mit der Entwicklung von Branchen wie neue Energien und 5G steigt die Nachfrage weiter.
In der Halbleiterindustrie wird es als Ausgangsmaterial für die Züchtung von Siliziumkarbid-Einkristallblöcken mittels physikalischer Gasphasenabscheidung (PVT) verwendet. Das Pulver sublimiert bei hohen Temperaturen, wird zur Rekristallisation zum Impfkristall transportiert und wächst zu einem Einkristallblock für die Herstellung eines Wafers heran. Neben der hohen Härte, der hohen Wärmeleitfähigkeit und der Thermoschockbeständigkeit von Siliziumkarbid selbst ist die Kerneigenschaft von 5N-6N-Hochreinheitspulver nur eines: extreme Reinheit.
5N-6N hochreines Siliziumkarbidpulver ist die Perle an der Spitze der Halbleiterindustrie. Es ist kein einfaches Pulver mehr, sondern ein hochmodernes Funktionsmaterial, das extreme Reinheit, präzise Kristallstruktur und strenge Partikelgrößenkontrolle erfordert. Seine Herstellung ist eine enorme Herausforderung, die Materialwissenschaft, Chemie, Thermodynamik und Ingenieurwesen umfasst und eine wichtige Rolle bei der Entwicklung zukünftiger Elektrofahrzeuge, neuer Energien und 5G-Kommunikationstechnologien spielt.
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