Waferboot/Träger

Der RSiC-Waferträger dient als kritische Komponente in der Halbleiterherstellung und bei Kristallwachstumsprozessen und wurde speziell für den Transport von Silizium-Wafern oder Siliziumkarbid-Substraten in Hochtemperaturumgebungen entwickelt. Dieser unverzichtbare 12-Zoll-Waferträger bietet zuverlässigen Halt während verschiedener thermischer Verarbeitungsphasen.

SiC-Waferboote sind wichtige Träger bei der Halbleiterherstellung und bei Kristallwachstumsprozessen und werden hauptsächlich zum Transport von Silizium-Wafern oder Siliziumkarbid-Substraten in Hochtemperaturumgebungen verwendet. Siliziumkarbid-Waferboote bieten Vorteile wie hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit (über 1600 °C), Säure- und Alkalikorrosionsbeständigkeit, niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und hohe Wärmeleitfähigkeit.

RSiC-Waferboote sind wichtige Träger bei der Halbleiterherstellung und bei Kristallwachstumsprozessen und werden hauptsächlich zum Transport von Silizium-Wafern oder Siliziumkarbid-Substraten in Hochtemperaturumgebungen verwendet. Horizontale Waferboote werden in horizontalen Diffusionsöfen verwendet.

Der RSiC-Waferträger ist ein wichtiger Träger in der Halbleiterherstellung und bei Kristallwachstumsprozessen und wird hauptsächlich zum Transport von Silizium-Wafern oder Siliziumkarbid-Substraten in Hochtemperaturumgebungen verwendet. Halbleiter-Waferträger bieten Vorteile wie hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit (über 1600 °C), Säure- und Laugenkorrosionsbeständigkeit, niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und hohe Wärmeleitfähigkeit.

RSiC-Waferboote sind eine wichtige Komponente in der Halbleiterfertigung und dienen der sicheren Befestigung von Wafern bei Hochtemperaturprozessen. RSiC-Waferboote zeichnen sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit, ausgezeichnete Säure- und Laugenkorrosionsbeständigkeit, hohe Reinheit und strukturelle Stabilität aus.