• Hochreines SiC-Rohmaterial-Mikropulver 4N-5N
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Hochreines SiC-Rohmaterial-Mikropulver 4N-5N

  • Starlight SiC RAW Powder
  • Shenyang, China
  • 30 Tage-45 Tage
  • 500 t/a SiC-Produktverarbeitung
Hochreines Siliziumkarbid-Mikropulver (SiC) ist ein Schlüsselmaterial für Produkte aus hochreinem SiC. Hochreines SiC-Mikropulver wird häufig in der Halbleiterindustrie, der erneuerbaren Energien, der Luft- und Raumfahrt und anderen Bereichen eingesetzt.

Hochreines SiC-Mikropulver 4N-5N

High purity SiC micro powder

PRODUKTBESCHREIBUNG

Hochreines SiC-Mikropulver mit einem Reinheitsbereich von 99,99 % bis 99,999 % (4N- bis 5N-Klasse) und einer Partikelgröße von Nanometern bis Mikrometern (normalerweise 0,1 bis 10 μm) verfügt über ausgezeichnete chemische Stabilität, hohe Härte, hohe Wärmeleitfähigkeit und weitere herausragende Eigenschaften. Der Kernwert von hochreinem SiC-Mikropulver liegt in seiner extrem hohen chemischen Reinheit, die den Gehalt an gängigen Metallverunreinigungen (wie Fe, Al, Ca, K, Na usw.) durch Präzisionsprozesse streng auf extrem niedrige ppm-Werte kontrolliert.

Hochreine SiC-Mikropulvermaterialien liegen hauptsächlich in der α-SiC- oder β-SiC-Kristallform vor, mit Partikelgrößen im Bereich von unter einem Mikrometer bis zu mehreren Mikrometern (üblicherweise 0,1–10 μm), die eine gleichmäßige Partikelgrößenverteilung und eine ausgezeichnete Sinteraktivität aufweisen.

Aufgrund seiner ultrahohen Reinheit ist es nicht länger ein Rohstoff für die Herstellung gewöhnlicher feuerfester Materialien oder Schleifmittel, sondern ein zentraler Rohstoff für die Herstellung von Siliziumkarbidkristallen der dritten Generation. Hochreines SiC-Mikropulver findet breite Anwendung in den Bereichen Halbleiter der dritten Generation, hochwertige Präzisionskeramik und fortschrittliche Verbundwerkstoffe. Es wird direkt für das Einkristallwachstum durch Sublimation oder chemische Gasphasenabscheidung (CVD) verwendet, und seine Reinheit bestimmt die elektrischen Eigenschaften, die Defektdichte und die Ausbeute des fertigen Halbleiterkristalls.

Darüber hinaus ist hochreines SiC-Mikropulver auch ein wichtiger Grundrohstoff für die neue Generation elektronischer Geräte, die Herstellung von Hochleistungskeramiken mit Wärmeleitfähigkeit (wie hochreine SiC-Tiegel, Substrate) und bestimmte spezielle hochentwickelte keramische Verbundwerkstoffe.

ROHSTOFFEIGENSCHAFTEN

Reinheit: 99,99 % (4N) bis 99,999 % (5N)

Partikelgröße: Typischerweise 0,1–10 μm (Mikropulverbereich)

Wichtige Verunreinigungen:

Metalle (Fe, Al): <10 ppm (5N), <100 ppm (4N)

Sauerstoff (O): <100 ppm

Freier Kohlenstoff (C): <0,2 %

PRODUKTDETAIL

High purity SiC


Hochreines Siliziumkarbid-Mikropulver ist ein vielseitig einsetzbares Material, das im 3D-Druck zur Herstellung hochfester und verschleißfester Komponenten eingesetzt werden kann. Es findet außerdem Verwendung in Beschichtungen, Batterien, Schmiermitteln, Katalysatoren, der Medizin, der Schleifindustrie, elektronischen Geräten, Keramikprodukten und feuerfesten Materialien. Die Anwendungsbereiche von hochreinem Siliziumkarbidpulver hängen von seiner Reinheit, Partikelgröße, Morphologie und anderen Eigenschaften ab. Unterschiedliche Anwendungsbereiche können unterschiedliche Spezifikationen für hochreines Siliziumkarbidpulver erfordern. Eine einheitliche Farbe spiegelt indirekt die Konsistenz der chemischen Zusammensetzung und die Stabilität des Prozesses wider.

VERPACKUNG


SiC micro powder

High purity SiC micro powder

ÜBER UNS

Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) nutzt ein effizientes Produktionssystem mit fortschrittlicher Technologie, um höchste Qualität und schnelle Reaktionszeiten zu gewährleisten. Wir bieten integrierte Logistiklösungen für See-, Luft- und Landtransporte und gewährleisten so eine sichere und pünktliche Lieferung. Durch einen sorgfältig gesteuerten Prozess vom Verkauf bis zum Versand erreichen wir für unsere Kunden eine zuverlässige und pünktliche Lieferung.

High purity SiC

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