12-Zoll-Waferträger mit drei Säulen, RSiC-Halbleiterschalen
In der Halbleiterindustrie spielt der 12-Zoll-Waferträger eine entscheidende Rolle in Produktionslinien für 12-Zoll-Siliziumchips (300 mm). Dieser RSiC-Waferträger dient als leistungsstarkes Verbrauchsmaterial und wird in bestehende 12-Zoll-Silizium-Prozessanlagen, insbesondere in vertikalen Diffusionsöfen, integriert. Hergestellt aus hochreinem Siliziumkarbid, bietet dieser fortschrittliche rekristallisierte Siliziumkarbid-Waferträger außergewöhnliche Leistungsmerkmale:
1. Außergewöhnliche Hochtemperaturfestigkeit: Der 12-Zoll-Waferträger behält seine mechanische Integrität auch bei Temperaturen über 1650 °C, verhindert Verformungen und trägt gleichzeitig schwere 12-Zoll-Wafer sicher.
2. Überlegene thermische Stabilität und Stoßfestigkeit: Der RSiC-Waferträger übersteht extrem schnelle Heiz- und Kühlzyklen ohne zu reißen, wodurch die Prozesszyklen erheblich verkürzt und die Produktionskapazität erhöht werden.
3. Ultrahohe Reinheit und geringe Kontamination: Dieser rekristallisierte Siliziumkarbid-Waferträger enthält minimale Metallverunreinigungen und weniger Verunreinigungen als Quarz, was ihn ideal für verunreinigungsempfindliche fortschrittliche Prozesse macht.
4. Hohe Wärmeleitfähigkeit: Der 12-Zoll-Waferträger fördert eine gleichmäßige Temperaturverteilung innerhalb des Ofenrohrs und verbessert so die Prozesskonsistenz.
Zu unseren Fertigungsmöglichkeiten gehören Kachelträger, Dreisäulen-Waferträger und Viersäulen-Waferträger. Diese RSiC-Waferträgerlösungen finden breite Anwendung in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie und eignen sich besonders für Oxidations- und Ionenimplantationsprozesse mit kleineren Wafergrößen.
MATERIALTECHNISCHE PARAMETER
Halbleiter-/Photovoltaikindustrie | RSiC |
SiC-Reinheit (%) | 99,9-99,99 |
Schüttdichte (g/cm3) | 2,65-2,75 |
Scheinbare Porosität (%) | 15-16 |
Festigkeit bei Raumtemperatur (MPa) | 90 |
Festigkeit bei 1300 °C (MPa) | 100 |
Verbindungsfestigkeit des Sinterkörpers (MPa) | 25 |
PRODUKTDETAIL
Rekristallisierter Siliziumkarbid-Waferträger
Der rekristallisierte Siliziumkarbid-Waferträger wird aus hochreinem Siliziumkarbidsubstrat mittels Rekristallisationssintertechnologie hergestellt. Dieser RSiC-Waferträger verfügt über präzisionsgefertigte Zähne und Rillen, was zu glatten, gratfreien Oberflächen führt.
Dieser 12-Zoll-Waferträger wurde speziell für Fertigungsbereiche entwickelt, die höchste Anforderungen an Sauberkeit und Stabilität stellen – darunter Halbleiter, Photovoltaik und LEDs. Seine Hauptfunktion besteht darin, Silizium-Wafer sicher und stabil zu lagern. Dieser fortschrittliche RSiC-Waferträger wird häufig in kritischen Prozessen wie der chemischen Gasphasenabscheidung (CVD), der thermischen Diffusion und dem Hochtemperaturglühen eingesetzt.
VERPACKUNG
UNSER SERVICE
Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) bietet OEM- und ODM-Services, Qualitätskontrolle während des gesamten Prozesses, Echtzeit-Feedback zum Auftragsverlauf, professionelle technische Beratung und schnelle Reaktion auf After-Sales-Probleme. Darüber hinaus bieten wir maßgeschneiderte internationale Logistiklösungen, um Kunden durch technologische Upgrades und Lieferkettenoptimierung zu unterstützen und so einen sorgenfreien globalen Kundenstamm von der Beschaffung bis zur Anwendung zu gewährleisten.
