Viersäulige Waferträger-RSiC-Halbleiterpalette
Der RSiC-Waferträger ist eine Hochleistungslösung aus hochwertigem Siliziumkarbid (SiC). Dieser fortschrittliche viersäulige Waferträger hält den extremen thermischen und korrosiven Bedingungen in der Photovoltaikproduktion stand und verbessert sowohl die Zellleistung als auch die Produktionseffizienz deutlich.
Bei der Herstellung von TOPCon-Batterien spielt der Halbleiter-Waferträger eine entscheidende Rolle bei LPCVD- und Glühvorgängen. Er bietet einen stabilen Halt für Silizium-Wafer und gewährleistet gleichzeitig die thermische Prozessstabilität und Wafergleichmäßigkeit. Dieser RSiC-Waferträger trägt durch präzise Prozesssteuerung und gleichbleibende Waferqualität direkt zu einer verbesserten Batterieumwandlungseffizienz bei.
Der robuste Waferträger mit vier Säulen wird auch in Wärmefeldsystemen von Polysilizium-Ingotöfen eingesetzt. Die außergewöhnliche thermische Stabilität und der niedrige Wärmeausdehnungskoeffizient des RSiC-Waferträgers verbessern sowohl die Qualität der Silizium-Ingots als auch die Fertigungsproduktivität erheblich.
MATERIALTECHNISCHE PARAMETER
Halbleiter-/Photovoltaikindustrie | RSiC |
SiC-Reinheit (%) | 99,9-99,99 |
Schüttdichte (g/cm3) | 2,65-2,75 |
Scheinbare Porosität (%) | 15-16 |
Festigkeit bei Raumtemperatur (MPa) | 90 |
Festigkeit bei 1300 °C (MPa) | 100 |
Verbindungsfestigkeit des Sinterkörpers (MPa) | 25 |
PRODUKTDETAIL
Der RSiC-Waferträger erreicht durch fortschrittliche Rekristallisationstechnologie eine außergewöhnliche Materialreinheit. Dieser speziell für die Halbleiter-, Photovoltaik- und LED-Fertigung entwickelte Halbleiter-Waferträger bietet zuverlässigen Halt für Wafer und Substrate unter extremen thermischen und korrosiven Bedingungen. Der vielseitige Viersäulen-Waferträger zeigt herausragende Leistung bei kritischen Prozessen wie chemischer Gasphasenabscheidung (CVD), Diffusion und Glühanwendungen.
ANWENDUNG
Der RSiC-Waferträger bietet umfassende Lösungen für mehrere fortschrittliche Fertigungssektoren und profitiert dabei von seiner überlegenen Temperaturbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit und außergewöhnlichen Sauberkeit.
Halbleiterfertigung
Der Halbleiterwaferträger ermöglicht kritische Prozessschritte wie Oxidation, Diffusions-CVD und Ionenimplantation.
Photovoltaik-Produktion
Dieser Waferträger mit vier Säulen unterstützt LPCVD- und Glühprozesse für TOPCon- und HJT-Batterietechnologien der nächsten Generation und trägt direkt zu einer verbesserten Energieeffizienz und höheren Umwandlungsraten bei.
Halbleiter- und LED-Fertigung der dritten Generation
Der RSiC-Waferträger stützt Saphir- und Siliziumkarbidsubstrate während GaN- und SiC-Epitaxieprozessen zuverlässig, widersteht aggressiven korrosiven Atmosphären wie Ammoniak und Chlorwasserstoff und ermöglicht gleichzeitig die Produktion von Hochfrequenz-Leistungsgeräten.
Zusätzliche erweiterte Anwendungen
In den Bereichen der aufkommenden Energiematerialien und der wissenschaftlichen Forschung – einschließlich des Sinterns von Kathodenmaterial für Lithiumbatterien und der Wärmebehandlung von Kernmaterial – stellt der Halbleiter-Waferträger unter extremen Betriebsbedingungen immer wieder seine außergewöhnliche Wärmebeständigkeit, Korrosionsfestigkeit und ultrareine Leistung unter Beweis.
VERPACKUNG
UNSER TEAM
Das Unternehmen engagiert sich seit vielen Jahren in der Forschung und Innovation von Siliziumkarbidprodukten entlang der gesamten Industriekette. Es stützt sich auf führende Technologie und Erfahrung in der Siliziumkarbid-Herstellung und wird von hochqualifizierten Fachkräften namhafter Universitäten und Institute geleitet. Zahlreiche Hochschulabsolventen bilden ein erstklassiges Forschungs- und Entwicklungsteam. Das Unternehmen widmet sich der Erforschung und Entwicklung von Siliziumkarbid-Rohstoffen und hochreinen Siliziumkarbidprodukten und legt damit eine solide Grundlage für die langfristige Entwicklung des Unternehmens.
