Der RSiC-Waferträger ist ein wichtiger Träger in der Halbleiterherstellung und bei Kristallwachstumsprozessen und wird hauptsächlich zum Transport von Silizium-Wafern oder Siliziumkarbid-Substraten in Hochtemperaturumgebungen verwendet. Halbleiter-Waferträger bieten Vorteile wie hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit (über 1600 °C), Säure- und Laugenkorrosionsbeständigkeit, niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und hohe Wärmeleitfähigkeit.
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