Elektronische Keramik RSiC zum Brennen elektrischer Elemente
PRODUKTBESCHREIBUNG
RSiC-Keramik (Rekristallisiertes Siliziumkarbid) revolutioniert die Herstellung von Brennelementen durch ihre außergewöhnlichen physikalischen und chemischen Eigenschaften. Dieses fortschrittliche Material ermöglicht bahnbrechende Innovationen beim Brennen von elektrischen Elementen, insbesondere für Hochleistungskeramiken und Halbleiterbauelemente. Die einzigartigen Eigenschaften von RSiC ermöglichen eine beispiellose Kontrolle der Brennumgebung und gewährleisten optimale Ergebnisse für empfindliche elektrische Elemente während kritischer thermischer Verarbeitungsphasen.
Eigenschaften von RSiC beim Brennen elektronischer Elemente
Präzisionsregelung für ultrahohe Temperaturen
Langfristig stabiler Betrieb bei 1600 °C mit kurzfristiger Eignung bis 1800 °C;
Überlegene Wärmefeldgleichmäßigkeit
Einstellbare Wärmeleitfähigkeit (1,2–45 W/mK) durch optimiertes Porositätsdesign;
Schnelle Sinterfähigkeit: ±0,5 °C Waferoberflächenvariation bei 100 °C/min Heizrate (MLCC-Elektroden-Co-Firing);
Präzisionssintern: ±0,2 °C thermische Feldstabilität bei 5 °C/min Heizraten (LTCC-Substratverarbeitung);
Absolute Prozessreinheit: Kontaminationsfreie Umgebung für empfindliche elektronische Keramik;
Verlängerte Lebensdauer
HAUPTPARAMETER
Hochtemperatur-Ofenausrüstungsindustrie | RSiC |
SiC-Gehalt (%) | ≥99 % |
Schüttdichte (g/cm3) | 2,65 ~ 2,75 |
Scheinbare Porosität (%) | <17 |
Festigkeit bei Raumtemperatur (MPa) | 90~100 |
Festigkeit bei 1300 °C (MPa) | 100-110 |
Elastizitätsmodul bei 20℃ | 240 |
Wärmeleitfähigkeit bei 1200 °C (W/mk) | 36 |
Wärmeausdehnung x10-6/℃ | 4.6 |
Maximale Betriebstemperatur (℃) | 1650℃ |
Härte bei 20 °C (kg/mm2) | 2000 |
Bruchzähigkeit bei 20°(MpaxM1/2) | 2.0 |
ANWENDUNG
Herstellung elektronischer Keramik
Mehrschichtige Keramikkondensatoren (MLCC): RSiC-Sinterplatten verhindern Substrat-Ofen-Reaktionen;
Fortschrittliche Verarbeitung elektronischer Keramik mit garantierter Reinheit und thermischer Stabilität;
Leistungselektronik-Verpackungen
SiC-MOSFET-Silbersintern: CTE-angepasste RSiC-Vorrichtungen (4,5×10⁻⁶/°C) minimieren die thermische Belastung während des Drucksinterns bei 250 °C;
Optimiert für das Zünden elektrischer Elemente bei der Herstellung von Leistungsgeräten;
Fortschrittliche Verpackungslösungen
Through Glass Via (TGV) Wafer-Level-Packaging: RSiC-Substrate behalten während des Glas-Reflows bei 850 °C eine Ebenheit von <1 μm/100 mm bei;
Überlegene Leistung für die Verpackung präziser elektrischer Elemente;
Support-Komponenten
Leichte Sinter-Druckplatten mit gleichbleibender Biegefestigkeit;
Präzisions-Waferträger (200 mm/300 mm Spezifikationen);
Elemente zur Atmosphärenkontrolle: Poröses RSiC (10–50 μm Poren) mit einer H₂-Permeationsgleichmäßigkeit von ±2 %;
RSiC-Keramiken stellen den Goldstandard für das Brennen elektrischer Elemente dar und bieten die Präzision, Reinheit und Leistung, die für die Herstellung elektronischer Geräte der nächsten Generation erforderlich sind.
VERPACKUNG
UNSER VORTEIL
Als Anbieter von Dienstleistungen für die gesamte Industriekette im Bereich Siliziumkarbid (SiC) integriert Riseport Global Traders Ltd. (Shenyang) vor- und nachgelagerte Ressourcen vollständig in sein Geschäftsmodell und seine Wertschöpfungskette und schafft so eine differenzierte Außenhandelsplattform mit hoher Wettbewerbsfähigkeit. Wir kombinieren maßgeschneiderte Servicelösungen mit einem effizienten, technologiegetriebenen Produktionssystem, um höchste Qualität und schnelle Reaktionsfähigkeit zu gewährleisten. Dies ermöglicht uns, einen nahtlosen und hochwertigen globalen Service zu bieten und den Erfolg unserer Kunden auf den internationalen Märkten zu sichern.
