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Rekristallisiertes Siliziumkarbid (RSiC) hat sich aufgrund seiner hervorragenden Eigenschaften wie hohe Temperaturbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit und hohe Durchbruchfeldstärke zum Kernmaterial einer neuen Generation elektronischer Keramiken und Leistungsgeräte entwickelt und wird häufig in Hochtemperatur-, Hochfrequenz- und Hochleistungsszenarien eingesetzt.