SiC-Waferboote sind wichtige Träger bei der Halbleiterherstellung und bei Kristallwachstumsprozessen und werden hauptsächlich zum Transport von Silizium-Wafern oder Siliziumkarbid-Substraten in Hochtemperaturumgebungen verwendet. Siliziumkarbid-Waferboote bieten Vorteile wie hohe Reinheit, hohe Temperaturbeständigkeit (über 1600 °C), Säure- und Alkalikorrosionsbeständigkeit, niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten und hohe Wärmeleitfähigkeit.
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RSiC-Waferboote sind wichtige Träger bei der Halbleiterherstellung und bei Kristallwachstumsprozessen und werden hauptsächlich zum Transport von Silizium-Wafern oder Siliziumkarbid-Substraten in Hochtemperaturumgebungen verwendet. Horizontale Waferboote werden in horizontalen Diffusionsöfen verwendet.
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RSiC-Waferboote sind eine wichtige Komponente in der Halbleiterfertigung und dienen der sicheren Befestigung von Wafern bei Hochtemperaturprozessen. RSiC-Waferboote zeichnen sich durch hohe Temperaturbeständigkeit, ausgezeichnete Temperaturwechselbeständigkeit, ausgezeichnete Säure- und Laugenkorrosionsbeständigkeit, hohe Reinheit und strukturelle Stabilität aus.
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